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部品型式

EN29GL256H-90ZIP

製品説明
仕様・特性

EN29GL256H/L EN29GL256 256 Megabit (32768K x 8-bit / 16384K x 16-bit) Flash Memory Page mode Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only FEATURES • Write operation status bits indicate program and erase operation completion • Single power supply operation - Full voltage range: 2.7 to 3.6 volts read and write operations • Support for CFI (Common Flash Interface) • High performance - Access times as fast as 90 ns • Persistent methods of Advanced Sector Protection • VIO Input/Output 1.65 to 3.6 volts - All input levels (address, control, and DQ input levels) and outputs are determined by voltage on VIO input. VIO range is 1.65 to VCC • WP#/ACC input • 8-word/16-byte page read buffer - Accelerates programming time (when VHH is applied) for greater throughput during system production • 32-word/64-byte write buffer reduces overall programming time for multiple-word updates - Protects first or last sector regardless of sector protection settings • Secured Silicon Sector region - 128-word/256-byte sector for permanent, secure identification through an 8-word/16byte random Electronic Serial Number - Can be programmed and locked at the factory or by the customer • Hardware reset input (RESET#) resets device • Ready/Busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion • Minimum 100K program/erase endurance cycles. • Uniform 64Kword/128KByte Sector Architecture Two hundred fifty-six sectors • Package Options - 56-pin TSOP - 64-ball 11mm x 13mm BGA • Suspend and Resume commands for Program and Erase operations • Industrial Temperature Range. GENERAL DESCRIPTION The EN29GL256 offers a fast page access time of 25 ns with a corresponding random access time as fast as 90 ns. It features a Write Buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption. This Data Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications. 1 ©2013 Eon Silicon Solution, Inc., Rev. j, Issue Date: 2013/08/06 www.eonssi.com

ブランド

EONSILICON

会社名

Eon Silicon Solution Inc

本社国名

台湾

事業概要

Eon Silicon Solution Inc. is a fabless semiconductor company focusing on non-volatile semiconductor memory, merged with Eon Silicon Devices, Inc. which has built up completely flash core technology and product IP.

供給状況

 
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