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RW1A013ZP
1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) WEMT6 (6) (4) (1) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (5) (2) (3) Abbreviated symbol : XC Application Switching Inner circuit (6) (5) (4) ∗2 Packaging specifications Package Code T2R Basic ordering unit (pieces) Type ∗1 Taping 8000 RW1A013ZP (1) (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (3) (1) Drain (2) Drain (3) Gate (4) Source (5) Drain (6) Drain Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous Pulsed Continuous Pulsed Drain current Source current (Body diode) Total power dissipation Channel temperature Range of Storage temperature Symbol VDSS VGSS ID IDP IS ISP PD Tch Tstg ∗1 ∗1 ∗2 Limits −12 ±10 ±1.3 ±2.6 −0.5 −2.6 0.7 150 −55 to +150 Unit V V A A A A W °C °C ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 When mounted on a ceramic board Thermal resistance Parameter Channel to ambient Symbol Rth(ch-a) ∗ Limits Unit 179 °C / W ∗ When mounted on a ceramic board www.rohm.com c ○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 2009.06 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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