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部品型式

2SB907

製品説明
仕様・特性

2SB907 Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)40 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)3.0 Absolute Max. Power Diss. (W)1.0 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)20u @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.2.0k h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)1.0 @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time..30u® t(r) Max. (s) Rise time.25u t(on) Max. (s) On time.

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社　東芝セミコンダクター＆ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

　
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