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部品型式

2SJ401

製品説明
仕様・特性

2SJ401 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L −π−MOSV) 2SJ401 DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm l 4 V gate drive l Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 33 mΩ (typ.) l High forward transfer admittance : |Yfs| = 20 S (typ.) l Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = −60 V) l Enhancement−mode : Vth = −0.8~−2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain−source voltage VDSS −60 V Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ) VDGR −60 V Gate−source voltage VGSS ±20 V (Note 1) ID −20 A Pulse(Note 1) IDP −80 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) PD 100 W Single pulse avalanche energy (Note 2) EAS 800 mJ Avalanche current IAR −20 A Repetitive avalenche energy (Note 3) EAR 10 mJ Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C Symbol Max Unit Thermal resistance, channel to case Rth (ch−c) 1.25 °C / W Thermal resistance, channel to ambient Rth (ch−a) 83.3 °C / W Drain current DC JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-10S1B Weight: 1.5 g (typ.) Thermal Characteristics Characteristics Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C. Note 2: VDD = −50 V, Tch = 25°C (initial), L = 1.44 mH, RG = 25 Ω, IAR = −20 A Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution. JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-10S2B Weight: 1.5 g (typ.) 1 2002-06-27

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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