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1SS286
1SS286 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching REJ03G0142-0300 Rev.3.00 May 24, 2007 Features • Very low reverse current. • Detection efficiency is very good. • Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability. Ordering Information Part No. Cathode Mark Package Name Package Code 1SS286 GREEN 7 MHD GRZZ0002ZC-A 7 Pin Arrangement 2 1 Cathode band 1. Cathode 2. Anode REJ03G0142-0300 Rev.3.00 May 24, 2007 Page 1 of 4
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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