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部品型式

PHB108NQ03LT

製品説明
仕様・特性

PHB108NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 — 2 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits Low conduction losses due to low on-state resistance Suitable for logic level gate drive sources Simple gate drive required due to low gate charge 1.3 Applications DC-to-DC convertors Switched-mode power supplies 1.4 Quick reference data Table 1. Quick reference Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VDS drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C - - 25 V ID drain current Tmb = 25 °C; VGS = 5 V; see Figure 1; see Figure 3 - - 75 A Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2 - - 187 W VGS = 4.5 V; ID = 25 A; VDS = 12 V; Tj = 25 °C; see Figure 12; see Figure 13 - 5.6 - nC VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C; see Figure 10; see Figure 11 - 5.3 6 mΩ Dynamic characteristics QGD gate-drain charge Static characteristics RDSon drain-source on-state resistance

ブランド

NXP

会社名

NXP Semiconductors

本社国名

オランダ

事業概要

世界的な半導体サプライヤで、エネルギー効率、コネクテッド・デバイス、セキュリティ、ヘルスケアの4つの世界的なメガトレンドに対応し、高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。

供給状況

 
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