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部品型式

IXGH24N60A

製品説明
仕様・特性

IXGH24N60A Transistors N-Channel IGBT V(BR)CES (V)600 V(BR)GES (V)20 I(C) Max. (A)48 Absolute Max. Power Diss. (W)150 Minimum Operating Temp (øC)-55 Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case830m Thermal Resistance Junc-Amb. g(fe) Min. (S) Trans. admitt.9 g(fe) Max. (S) Trans. admitt.13 @I(C) (A) (Test Condition)24 @V(CE) (V) (Test Condition)10 V(CE)sat Max. (V)2.7 @I(C) (A) (Test Condition)24 @V(GE) (Test Condition)15 td(on) Max (s) On time delay25n t(r) Max. (s) Rise time15n t(d)off Max. (s) Off time200n t(f) Max. (s) Fall time.175n V(GE)th Max. (V)5.0 I(GES) Max. (A)100n

ブランド

IXYS

会社名

IXYS Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、　1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB（アセア・ブラウンボベリ）のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております｡　近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社（MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。

供給状況

　
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