<^£mL-ConJiuctoi ZPioducti,
TELEPHONE: (973) 376-2922
(212) 227-6005
FAX: (973) 378-8960
20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A.
Doubles transistors PNP silicium
* 2N 3350
* 2 N 3351
* 2 N 3352
Planar epitaxiaux
Dual PNP silicon transistors
Epitaxial plmir
• Amplification diffSrentielle
Differential amplification
Transistors comptementaires
aux 2N 2642 a 2N 2644
Complementary transistors
of 2N 2642 to 2N 2644
-46 V
-30 mA
VCEO
'c
h 21E (10MA)
h21E1
Dissipation de puissance maximale
MmiiKUH ,
100 - 300
0,9 min.
0,8 min,
0,6 min.
h21E2
2N 3350
2N 3351
2N 3352
B
Bottler F 100
Cast
*tfl
B?
150
200 lco,,CC)(3)(4)
Valeurs limites absolues d'utilisation a t a mb=25°C
Absolute ntinffs (limiting vtluttt
( Sauf indications contrairos )
iUnliss atarwin sftalitil}
•^^^^^^
rWVPVn*
fn*m**r
Tension collactaur-bua
Cotlfctor>t>»lf volttgm
Tension collecteur-emetteur
Calltctor-tmlltn volum
Tension 4metteur-base
-60
V
VCEO
-45
V
VEBO
-6
VCBO
fmitur-tiit relttgt
Courant collecteur
Collector cvrrtrtt
pc
t
._ =.2S»C
Dissipation de puissance
Powir dliitpition
0,3
1 **ment (1)
2 4l*ment!
<2>
-30
Temperature de jonction
Junction ttmptwiun
Temperature de stockage
Storage tmmpertturm
=25«C
W
0,6
Ptot
T^171"1* <3>
0,6
2 elements (4)
t
V
mA
1,2
max'
min
max.
*i
175
'stg
-65
W
°C
°C
+200
\ S«mi-C niiduuon resmw ih« right In thong* (Ml conditions, pramelcr limiM wd pickag* Jlmensiofis iihmrt nolioe
InrbrmulHin lurnrrwd by NI ScmK'umhKlim it bdMvcil In rw hiilh ucwvato ,iml rdiuhU il irM Itnw of guinf lo pros. However s -1
n-iiii 11 HiltM.lnn IS.MIIIKI m> fe^pniuibiliry Kir m> ein« M Seim-t i