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部品型式

EDS1232AATA-75-E

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET 128M bits SDRAM EDS1232AATA (4M words × 32 bits) Specifications Pin Configurations • Density: 128M bits • Organization ⎯ 1M words × 32 bits × 4 banks • Package: 86-pin plastic TSOP (II) ⎯ Sn-Pb solder ⎯ Sn-Bi solder Lead-free (RoHS compliant) • Power supply: VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V • Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.) • Four internal banks for concurrent operation • Interface: LVTTL • Burst lengths (BL): 1, 2, 4, 8, full page • Burst type (BT): ⎯ Sequential (1, 2, 4, 8, full page) ⎯ Interleave (1, 2, 4, 8) • /CAS Latency (CL): 2, 3 • Precharge: auto precharge operation for each burst access • Refresh: auto-refresh, self-refresh • Refresh cycles: 4096 cycles/64ms ⎯ Average refresh period: 15.6μs • Operating ambient temperature range ⎯ TA = 0°C to +70°C /xxx indicates active low signal. 86-pin Plastic TSOP(II) L EO Pr Features 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 od • ×32 organization • Single pulsed /RAS • Burst read/write operation and burst read/single write operation capability • Byte control by DQM VDD DQ0 VDDQ DQ1 DQ2 VSSQ DQ3 DQ4 VDDQ DQ5 DQ6 VSSQ DQ7 NC VDD DQM0 /WE /CAS /RAS /CS A11 BA0 BA1 A10(AP) A0 A1 A2 DQM2 VDD NC DQ16 VSSQ DQ17 DQ18 VDDQ DQ19 DQ20 VSSQ DQ21 DQ22 VDDQ DQ23 VDD 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 VSS DQ15 VSSQ DQ14 DQ13 VDDQ DQ12 DQ11 VSSQ DQ10 DQ9 VDDQ DQ8 NC VSS DQM1 NC NC CLK CKE A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 DQM3 VSS NC DQ31 VDDQ DQ30 DQ29 VSSQ DQ28 DQ27 VDDQ DQ26 DQ25 VSSQ DQ24 VSS (Top view) A0 to A11, BA0, BA1 DQM0 to DQM3 DQ mask enable CKE CLK VDD VSS VDDQ VSSQ Clock enable Clock input Supply voltage Ground Supply voltage for DQ t uc Address inputs Bank select DQ0 to DQ31 Data input/output /CS Chip select /RAS Row address strobe Column address strobe /CAS Write enable /WE NC Document No. E0386E60 (Ver. 6.0) Date Published January 2007 (K) Japan Printed in Japan URL: http://www.elpida.com Ground for DQ No connection This product became EOL in March, 2007. ©Elpida Memory, Inc. 2003-2007

ブランド

ELPIDA

会社名

エルピーダメモリ株式会社

本社国名

日本

事業概要

DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)のリーディングカンパニーです。世界トップレベルの技術力により、開発・設計・製造・販売活動を積極的に展開しています。

供給状況

 
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