HOME>在庫検索>在庫情報
QS5U28TR
QS5U28 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET Datasheet l Outline VDSS -20V RDS(on)(Max.) 125mΩ ID ±2.0A PD 1.25W TSMT5 l Inner circuit l Features 1) The QS5U28 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TSMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast swicthing 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low V F schottky barrier diode. 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. l Packaging specifications Embossed Tape Packing Reel size (mm) l Application Tape width (mm) Type Load switch, DC/ DC conversion 180 8 Basic ordering unit (pcs) 3000 Taping code TR Marking U28 l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -20 V Gate - Source voltage VGSS ±12 V ID ±2.0 A ID, pulse*1 ±8.0 A IS -1.0 A IS, pulse*1 -8.0 A PD*3 0.9 W/element Junction temperature Tj 150 ℃ Continuous drain current Pulsed drain current Continuous source current (body diode) Pulsed source current (body diode) Power dissipation www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 20150730 - Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
お買い上げ小計が1万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。1万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。(送料は地域により異なります。)