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1SS193
RECTRON 1SS193 SEMICONDUCTOR TECHNICAL SPECIFICATION SOT-23 SWITCHING DIODE FEATURES * Power dissipation P D: 150 mW(Tamb=25OC) * Forward current I F: 100 mA * Reverse voltage VR: 80 V * Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55OCto+150OC SOT-23 MECHANICAL DATA * * * * * Case: Molded plastic Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed Mounting position: Any Weight: 0.008 gram 0.055(1.40) 0.047(1.20) 0.006(0.15) 0.003(0.08) 0.043(1.10) 0.035(0.90) 0.020(0.50) 0.012(0.30) 0.004(0.10) 0.000(0.00) 0.100(2.55) 0.089(2.25) 0.020(0.50) 0.012(0.30) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS 1 0.019(2.00) 0.071(1.80) Ratings at 25 o C ambient temperature unless otherwise specified. 0.118(3.00) 3 0.110(2.80) 2 Dimensions in inches and (millimeters) ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted ) CHARACTERISTICS SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS V(BR) 80 - - V Reverse voltage leakage current (VR=80V) IR - - 0.5 µA Forward voltage (IF=100mA) VF - - 1.2 V Diode capacitance (VR=0V,f=1MHz) CD - - 3 pF Reverse recovery time trr - - 4 ns Reverse Breakdown Voltage (IR=100µA) 2006-3
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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