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部品型式

2SA1020-Y

製品説明
仕様・特性

UTC 2SA1020 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and power switching applications. FEATURES 1 *Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.5V(max.) (IC=-1A) *High speed switching time: tstg=1.0µs(Typ.) *Complement to UTC 2SC2655 TO-92NL 1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT VCBO VCEO VEBO Ic PC Tj TSTG -50 -50 -5 -2 0.9 150 -55 ~ +150 V V V A W °C °C Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER Collector cut-off current Emitter cut-off current Collector to emitter breakdown voltage DC Current Gain Collector to emitter saturation voltage Base to emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance Switching time Turn-on time Storage time Fall time UTC SYMBOL TEST CONDITIONS ICBO IEBO VCB=-50V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 Ic=-10mA, IB=0 V(BR)CEO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) fT Cob ton tstg tf VCE=-2V, IC=-0.5A VCE=-2V, IC=-1.5A Ic=-1A, IB=-0.05A Ic=-1A, IB=-0.05A VCE=-2V, Ic=-0.5A VCB=-10V, IE=0, f=1MHz UNISONIC TECHNOLOGIES MIN TYP MAX UNIT -1.0 -1.0 µA µA V -50 70 40 240 -0.5 V -1.2 V MHz pF µs µs µs 100 40 0.1 1.0 0.1 CO. LTD 1 QW-R211-007,A

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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