HOME>在庫検索>在庫情報
2SD2144STPV
2SD2114K / 2SD2144S Transistors High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) 2SD2114K 2.9±0.2 1.1+0.2 −0.1 1.9±0.2 0.8±0.1 0.95 0.95 (2) 0∼0.1 2.8±0.2 1.6+0.2 −0.1 (1) +0.1 0.15 −0.06 0.4 +0.1 −0.05 0.3∼0.6 (3) All terminals have same dimensions ROHM : SMT3 EIAJ : SC-59 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (1) Emitter (2) Base (3) Collector ∗ Abbreviated symbol: BB 2SD2144S 2±0.2 (15Min.) 3Min. 3±0.2 4±0.2 0.45+0.15 −0.05 2.5 +0.4 −0.1 0.5 +0.15 0.45 −0.05 5 (1) (2) (3) ROHM : SPT EIAJ : SC-72 ∗ Denotes h (1) Emitter (2) Collector (3) Base FE Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 25 V Collector-emitter voltage VCEO 20 V Emitter-base voltage VEBO 12 V Parameter Collector current Collector power 2SD2114K dissipation 2SD2144S IC PC 0.5 A(DC) 1 A(Pulse) 0.2 0.3 ∗ W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg −55 to +150 °C ∗ Single pulse Pw=100ms Rev.B 1/4
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
弊社からの見積回答メールの返信又はFAXにてお願いします。