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2SD1071
2SD1071 FUJI POWER TRANSISTOR TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE ULTRA HIGH β TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER Outline Drawings Features TO-220AB High D.C. current gain Low saturation voltage High reliability Applications Audio power amplifiers Relay & solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers Including zener diode 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter JEDEC EIAJ 種 機 Equivalent Circuit Schematic Maximum ratings and characteristics ct. u Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified) Item Collector-Base voltage Collector-Emitter voltage Collector-Emitter voltage Emitter-Base voltage Zener voltage Collector current Base current Collector power disspation Operating junction temperature Storage temperature 型 廃 Symbol VCBO VCEO VCEO(SUS) VEBO Vz IC IB PC Tj Tstg Ratings (450) (450) 300 6 300 6 2.5 40 +150 -40 to +150 Unit V V V V V A A W °C °C d e nu i t con s Di TO-220AB SC-46 rod p Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified) Item Collector-Base voltage Collector-Emitter voltage Collector-Emitter voltage Emitter-Base voltage Zener voltage Collector-Base leakage current Emitter-Base leakage current D.C. current gain Collector-Emitter saturation voltage Base-Emitter saturation voltage Symbol VCBO VCEO VCEO(SUS) VEBO VZ ICBO IEBO hFE VCE(Sat) VBE(Sat) Test Conditions ICBO = 0.1mA ICEO = 1mA IC = 8A IEBO = 150mA IZ = 0.1mA VCBO = 300V VEBO = 6V IC = 4A, VCE = 2V IC = 4A, IB = 15mA Min. Test Conditions Junction to case Min. Typ. (450) (450) 300 6 300 Max. 450 0.1 150 Units V V V V V mA mA 500 1.5 2.0 V V Thermal characteristics Item Thermal resistance Symbol Rth(j-c) Typ. Max. Units 3.0 °C/W 1
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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