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部品型式

2SC5868

製品説明
仕様・特性

Medium power transistor (60V, 0.5A) 2SC5868 Dimensions (Unit : mm) TSMT3 0.4 (1) (3) 1.9 Applications Small signal low frequency amplifier High speed switching 0.6 1.0MAX 0.85 0.7 0.1 0.3 0 (1) Base (2) Emitter (3) Collector 0.16 (2) 0.95 0.95 2.8 1.6 2.9 Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. 4) Complements the 2SA2090 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : VS Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor Packaging specifications Package Type Taping TL Code Basic ordering unit (pieces) 3000 2SC5868 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 60 V Emitter-base voltage VEBO 6 V DC IC 0.5 A Pulsed ICP 1.0 A ∗1 PC 500 mW ∗2 Tj 150 °C Tstg −55 to 150 °C Parameter Collector current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature ∗1 Pw=10ms ∗2 Each terminal mounted on a recommended land www.rohm.com c ○ 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 2011.03 - Rev.A

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