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RB160VA-40TR
Schottky Barrier Diodes RB160VA-40 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.1 0.17±0.1 0.05 1.9±0.1 3) High reliability. 2.5±0.2 Features 1) Small mold type. (TUMD2) 2) Low VF, Low IR. 0.8 0.5 2.0 1.3±0.05 TUMD2 Structure 0.8±0.05 Construction Silicon epitaxial planar 0.6±0.2 0.1 ROHM : TUMD2 dot (year week factory) + day Taping specifications (Unit : mm) 1.43±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.2 0 8.0±0.2 2.8±0.05 2.8±0.05 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.1 0.05 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 0.9±0.08 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz・1cyc) Forward current surge peak(t=100μs・1cyc) Junction temperature Storage temperature Limits 40 40 1 5 10 150 -40 to +150 Symbol VRM VR Io IFSM IFSM Tj Tstg Unit V V A A A ℃ ℃ Electrical characteristics (Ta=25C) Parameter Forward voltage Reverse current Symbol VF Min. Typ. Max. Unit - 0.50 0.55 V IR - 1.5 50 μA www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Conditions IF=700mA VR=40V 2010.06 - Rev.D
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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