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RB548W
Data Sheet Shottky barrier diode RB548W Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.0 0.5 0.5 0.3±0.1 0.05 Features 1) Ultra small power mold type. (EMD3) 2) Low IR 3) High reliability. 0.7 1.6±0.2 0.15± 0.05 0.6 0.6 EMD3 0.55± 0.1 0.5 0.5 1.0± 0.1 Construction Silicon epitaxial planar 0.7 (1) (2) 0.7 0～ 0.1 0.1Min 0.2±0.1 -0.05 1.6±0.2 0.8±0.1 (3) 1.3 Applications Low current rectification 0.7±0.1 Structure ROHM : EMD3 JEDEC : SOT-416 JEITA : SC-75A dot (year week factory) Taping specifications (Unit : mm) φ1.55±0.1 φ1.5 0.1 0 0 2.0±0.05 0.3±0.1 8.0±0.2 0～0.1 1.8±0.2 1.8±0.1 5.5±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 φ0.5±0.1 0.9±0.2 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (DC) Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*1) Junction temperature Storage temperature Limits Symbol VR Io IFSM Tj Tstg Unit V mA mA °C °C 30 100 500 125 40 to 125 (*1) Rating of per diode Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Symbol VF Min. - Typ. - Max. 0.45 Unit V Reverse current IR - - 0.5 μA www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 Conditions IF=10mA VR=10V 2011.04 - Rev.C
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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