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US6M1TRTAPINGREEL
US6M1 Transistors Small switching US6M1 TUMT6 0.2 2.0±0.1 0.85MAX 0.77±0.05 0.3 +0.1 −0.05 (5) (4) (1) (2) (3) 2.1±0.1 1.7±0.1 (6) 0.2 Application Power switching, DC / DC converter. 1pin mark 0.2MAX External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TUMT6). 0~0.1 0.65 0.65 1.3±0.1 0.17±0.05 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : M01 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous Pulsed Continuous Source current (Body diode) Pulsed Total power dissipation (TC=25°C) Channel temperature Storage temperature Drain current VDSS VGSS ID IDP IS ISP PD Tch Tstg Limits Tr1 : Nchannel Tr2 : Pchannel 30 −20 20 −12 ±1 ±1.4 ±4 ±5.6 0.6 −0.4 5.6 −4 1 1 150 150 −55 to +150 −55 to +150 Unit V V A A A A W °C °C ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 With each pin mounted on the recommended lands. (5) (4) (6) (5) (4) (1) (6) (2) (3) ∗2 ∗1 ∗1 ∗1 ∗1 ∗2 ∗2 (1) (2) (3) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (1) Tr1 (Nch) Source (2) Tr1 (Nch) Gate (3) Tr2 (Pch) Drain (4) Tr2 (Pch) Source (5) Tr2 (Pch) Gate (6) Tr1 (Nch) Drain Thermal resistance (Ta=25°C) Parameter Channel to ambient Symbol Rth (ch-A) Limits 125 Unit °C / W 1/7
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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