HOME>在庫検索>在庫情報
2SA1359Y
Inchange Semiconductor Product Specification 2SA1359 Silicon PNP Power Transistors · DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SC3422 ·Good linearity of hFE APPLICATIONS ·Audio frequency amplifier ·Low speed switching ·Suitable for output stage of 5W car radio and car stereo PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector;connected to mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base voltage Open emitter -40 V VCEO Collector-emitter voltage Open base -40 V VEBO Emitter-base voltage Open collector -5 V IC Collector current -3 A IB Base current -1 A PD Total power dissipation Ta=25℃ 1.5 TC=25℃ 10 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~+150 ℃
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
お買い上げ小計が1万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。1万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。(送料は地域により異なります。)