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SI1555DL-T1-E3
Si1555DL Vishay Siliconix Complementary Low-Threshold MOSFET Pair FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) N-Channel 20 P-Channel -8 RDS(on) (Ω) 0.385 at VGS = 4.5 V 0.70 0.630 at VGS = 2.5 V • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 0.54 0.600 at VGS = - 4.5 V - 0.60 0.850 at VGS = - 2.5 V - 0.50 1.200 at VGS = - 1.8 V - 0.42 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) S1 1 6 D1 G1 2 5 G2 D2 3 4 S2 RB XX YY Marking Code Lot Traceability and Date Code Part # Code Top View Ordering Information: Si1555DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si1555DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted N-Channel Parameter Symbol 5s P-Channel Steady State 5s Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -8 Gate-Source Voltage VGS ± 12 ±8 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 85 °C ± 0.70 ± 0.66 ± 0.50 ± 0.48 IDM Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction)a Maximum Power Dissipationa ID IS TA = 25 °C TA = 85 °C Operating Junction and Storage Temperature Range PD V - 0.60 - 0.57 - 0.43 - 0.41 - 0.23 ± 1.0 0.25 0.23 - 0.25 0.30 0.27 0.30 0.27 0.16 0.14 0.16 0.14 TJ, Tstg Unit - 55 to 150 A W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t≤5s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 360 415 400 460 300 Unit 350 °C/W Note: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 71079 S10-1054-Rev. E, 03-May-10 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
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