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部品型式

M54522FP

製品説明
仕様・特性

M54522FP 8-UNIT 400mA DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE SINK TYPE DESCRIPTION PIN CONFIGURATION M54522FP is an eight-circuit Darlington transistor arrays with clamping diodes. The circuits are made of NPN transistors. NC Both the semiconductor integrated circuits perform high-current 1 ○ 20 NC IN1→ 2 19 →O1 IN2→ 3 18 →O2 IN3→ 4 17 →O3 IN4→ 5 16 →O4 IN5→ 6 15 →O5 ● High-current driving (Ic(max) = 400mA) IN6→ 7 14 →O6 ● With clamping diodes IN7→ 8 13 →O7 IN8→ 9 12 →O8 driving with extremely low input-current supply. INPUT FEATURES ● High breakdown voltage (BVCEO > 40V) ● Driving available with PMOS IC output GND 11 10 Package type OUTPUT COM COMMON 20P2N-A NC : No connection APPLICATIONS Drives of relays and printers, digit drives of indication elements (LEDs and lamps), and interfaces between microcomputer output and high-current or high-voltage systems CIRCUIT DIAGRAM COM FUNCTION OUTPUT The M54522FP each have eight circuits consisting of NPN 20K Darlington transistors. This ICs have resistance of 20kΩ INPUT between input transistor bases and input pins. A spike-killer clamping diode is provided between each output 20K pin (collector) and COM pin. The output transistor emitters are all connected to the GND pin (pin 10). 2K The collector current is 400mA maximum. Collector-emitter GND supply voltage is 40V maximum. The eight circuits share the COM and GND. The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. Unit :Ω ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise noted, Ta = –20 ~ +75℃) Symbol VCEO IC VI IF VR Pd Topr Tstg 2012.May Parameter Collector-emitter voltage Output current Input voltage Clamping diode forward current Clamping diode reverse voltage Power dissipation Operating temperature Storage temperature Conditions Output , H Current per circuit output, L Ta = 25℃, when mounted on board 1 Ratings –0.5 ~ +40 400 –0.5 ~ +40 400 40 1.10 –20 ~ +75 –55 ~ +125 Unit V mA V mA V W ℃ ℃

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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