製品説明 仕様・特性: 2SD1276P Transistors NPN Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)60 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)4 Absolute Max. Power Diss. (W)2 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)200u @V(CBO) (V) (Test Condition)60 h(FE) Min. Current gain.4k h(FE) Max. Current gain.10k @I(C) (A) (Test Condition)3 @V(CE) (V) (Test Condition)3 f(T) Min. (Hz) Transition Freq20MÂ @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)10 V(CE)sat Max. (V)4 @I(C) (A) (Test Condition)5 @I(B) (A) (Test Condition)20m t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time..5uÂ

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