面実装デバイス 単体型
Rectifier Diode
Surface Mounting Device Single Diode
■外観図 OUTLINE
D1F60
Unit : mm
Weight : 0.058g typ.)
(
Package:1F
600V 1A
特長
①
• 耐湿性に優れ高信頼性
Feature
V6
7D
カソードマーク
Cathode mark
+①
②−
ロッ
ト記号
(例)
Date code
品名略号
Type No.
• High-Reliability
2.5
②
5.0
2.0
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
122
(J534-1)
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
D1F60
単位
Unit
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
600
V
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θ
jl
θ
ja
アルミナ基板実装
50Hz 正弦波,抵抗負荷,Ta = 25℃
On alumina substrate
50Hz sine wave,
プリント基板実装
Resistance load, Ta = 25℃
On glass-epoxy substrate
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
パルス測定
Pulse measurement
VR = VRM, パルス測定
Pulse measurement
IF = 1A,
0.75
25
A
A
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
MAX
1.1
V
MAX
10
μA
MAX
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
1.0
23
MAX
108
MAX
157
℃/W