製品説明 仕様・特性: TD62507P Transistors Independent Transistor Array Military/High-RelN Number of Devices5 Type (NPN/PNP) V(BR)CEO (V) V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A) P(D) Max. (W)1.0 Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC) I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.70 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)2m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) Emitter-Base Diode (Y/N) Semiconductor Material Package StyleDIP

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