HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

NAND01GR3B2CZA6E

製品説明
仕様・特性

NAND01G-B2B NAND02G-B2C 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 byte/1056 word page, 1.8 V/3 V, NAND Flash memory Features ■ High Density NAND Flash memories – Up to 2 Gbit memory array – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities TSOP48 12 x 20 mm FBGA ■ Supply voltage: 1.8 V/3.0 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) Words ■ Block size – x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes – x16 device: (64 K + 2 K spare) words ■ Page Read/Program – Random access: 25 µs (max) – Sequential access: 30 ns (min) – Page program time: 200 µs (typ) ■ Cache Program and Cache Read modes ■ Fast Block Erase: 2 ms (typ) ■ ■ Data protection – Hardware Block Locking – Hardware Program/Erase locked during Power transitions ■ Data integrity – 100 000 Program/Erase cycles per block (with ECC) – 10 year data retention ■ ECOPACK® packages ■ Development tools – Error Correction Code models – Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms – Hardware simulation models Electronic signature ■ Serial number option Status Register ■ ■ Copy Back Program mode ■ VFBGA63 9.5 x 12 x 1 mm VFBGA63 9 x 11 x 1 mm Chip Enable ‘don’t care’ Table 1. Device summary Reference Part number NAND01GR3B2B, NAND01GW3B2B NAND01G-B2B NAND01GR4B2B, NAND01GW4B2B(1) NAND02GR3B2C, NAND02GW3B2C NAND02G-B2C NAND02GR4B2C, NAND02GW4B2C(1) 1. x16 organization only available for MCP products. April 2007 Rev 4 1/61 www.st.com 1

ブランド

MICRON

会社名

Micron Technology

本社国名

U.S.A

事業概要

メモリ・ストレージ用の各種半導体メモリ(DRAMやフラッシュメモリとそれらの搭載製品群)を製造・販売している。主力製品は、DRAM, FLASH MEMORY

供給状況

 
Not pic File
お求めのNAND01GR3B2CZA6Eは、弊社スタッフが在庫調査を行いメールにて結果を御報告致します。

「見積依頼」ボタンを押してお気軽にお問合せください。


当サイトの取引の流れ

見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。


お取引内容はこちら

0.0661761761