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部品型式

DEIC420

製品説明
仕様・特性

DEIC420 20 Ampere Low-Side Ultrafast RF MOSFET Driver Features Description • Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOSTM processes • Latch-Up Protected • High Peak Output Current: 20A Peak • Wide Operating Range: 8V to 30V • Rise And Fall Times of <4ns • Minimum Pulse Width Of 8ns • High Capacitive Load Drive Capability: 4nF in <4ns • Matched Rise And Fall Times • 32ns Input To Output Delay Time • Low Output Impedance • Low Quiescent Supply Currentt TheDEIC420 is a CMOS high speed high current gate driver specifically designed to drive MOSFETs in Class D and E HF RF applications at up to 45MHz, as well as other applications requiring ultrafast rise and fall times or short minimum pulse widths. The DEIC420 can source and sink 20A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 4ns, and minimum pulse widths of 8ns. The input of the driver is compatible with TTL or CMOS and is fully immune to latch up over the entire operating range. Designed with small internal delays, cross conduction/current shoot-through is virtually eliminated in the DEIC420. Its features and wide safety margin in operating voltage and power make the DEIC420 unmatched in performance and value. Applications • • • • • • • • Driving RF MOSFETs Class D or E Switching Amplifier Drivers Multi MHz Switch Mode Power Supplies (SMPS) Pulse Generators Acoustic Transducer Drivers Pulsed Laser Diode Drivers DC to DC Converters Pulse Transformer Driver The DEIC420 is packaged in DEI's low inductance RF package incorporating DEI's patented (1) RF layout techniques to minimize stray lead inductances for optimum switching performance. For applications that do not require the power dissipation of the DEIC420, the driver is also available in a 28 pin SOIC package. See the IXDD415SI data sheet for additional information. The DEIC420 is a surface-mount device, and incorporates patented RF layout techniques to minimize stray lead inductances for optimum switching performance. (1) DEI U.S. Patent #4,891,686 Figure 1 - DEIC420 Functional Diagram Copyright © DIRECTED ENERGY, INC. 2001, 2002 First Release

ブランド

IXYS

会社名

IXYS Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、 1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB(アセア・ブラウンボベリ)のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております。 近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社(MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。

供給状況

 
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