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DAM1MA27
SURGE SUPPRESSOR DIODE DAM1MA FEATURES OUTLINE DRAWING • High transient reverse power capability suitable for protecting automobile electronic components etc. • High heat-resistant due to glass passivation. Unit in mm(inch) Direction of polarity Type mark B Z A 2 7 1.5 (0.06) 2.5 (0.1) Lot mark Cathode band 2.0 (0.08) 4.3 (0.17) 0.2 (0.008) 4.7 (0.19) 0.1MAX (0.004) 1.2 (0.05) 1.2 (0.05) Weight: 0.05 (g) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbols Units Ratings PRSM Items Non-Repetitive Peak Reverse OneCycle Dissipation W 600(Rectangular pulse t=0.1ms Tj=25°C start) Tj °C -40 ~ +150 Storage Temperature Tstg °C -40 ~ +150 DC Reverse Voltage VDC V Refer to characteristics column Operating Junction Temperature CHARACTERISTICS(TL=25°C) Type DAM1MA10 DAM1MA11 DAM1MA12 DAM1MA13 DAM1MA15 DAM1MA16 DAM1MA18 DAM1MA20 DAM1MA22 DAM1MA24 DAM1MA27 DAM1MA30 DAM1MA33 DAM1MA36 DAM1MA39 DAM1MA43 DAM1MA47 DAM1MA51 DAM1MA68 DAM1MA75 DAM1MA82 DC Reverse Voltage VDC (V) 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 31 34 37 49 54 59 Characteristics Zener Voltage Vz (V) Maximum Test Current Dynamic Iz Minimum Maximum Impedance (mA) Zz (ohm) 9.4 10.4 11.4 12.4 13.5 15.3 16.8 18.8 20.8 22.7 25.1 28.0 31.0 33.4 36.1 39.8 43.3 46.9 61.2 67.5 73.8 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32.0 35.0 38.6 41.9 46.2 50.7 55.1 74.8 82.5 90.2 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 30 30 30 30 60 60 60 25 25 25 25 25 15 15 15 15 10 10 10 10 10 10 6 6 6 4 4 3 Maximum Reverse Current IRRM (µA) VR (V) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 31 34 37 55 61 66 PDE-DAM1MA-0
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。