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部品型式

KRX206E

製品説明
仕様・特性

SEMICONDUCTOR KRX206E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN/PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES ・Including two devices in TES6. C A 2 5 4 A1 6 3 ・With Built-in bias resistors. 1 C (Thin Extreme Super mini type with 6 Pin.) D ・Simplify circuit design. ・Reduce a quantity of parts and manufacturing process. E P EQUIVALENT CIRCUIT P DIM A A1 B B1 C D E H J MILLIMETERS _ 1.6 + 0.05 _ 1.0 + 0.05 _ 1.6 + 0.05 _ 1.2 + 0.05 0.50 _ 0.2 + 0.05 _ 0.35 + 0.05 _ 0.5 + 0.05 _ 0.12 + 0.05 P Q2 R1 OUT J OUT H Q1 R1 IN 5 1. 2. 3. 4. 5. 6. Q1 , Q 2 IN R1=10KΩ R2=47KΩ R2 R2 COMMON Q1 Q1 Q2 Q2 Q2 Q1 COMMON (EMITTER) IN (BASE) OUT (COLLECTOR) COMMON (EMITTER) IN (BASE) OUT (COLLECTOR) COMMON TES6 EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW) 6 5 Marking 4 6 5 4 Lot No. Q1 Type Name Q2 BK 1 1 2 2 3 3 Q1 MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Output Voltage VO 50 V Input Voltage VI 30, -6 V Output Current IO 100 ㎃ Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃) SYMBOL RATING UNIT Output Voltage CHARACTERISTIC VO -50 V Input Voltage VI -30, 6 V Output Current IO -100 ㎃ SYMBOL RATING UNIT PD * 200 ㎽ Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ Q1, Q2 MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHARACTERISTIC Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range * Total Rating. 2014. 3. 31 Revision No : 3 1/3

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