HOME在庫検索>在庫情報

部品型式

IXEN60N120D1

製品説明
仕様・特性

IXEN 60N120 IXEN 60N120D1 NPT3 IGBT IC25 = 100 A = 1200 V VCES VCE(sat) typ. = 2.1 V in miniBLOC package C C G miniBLOC, SOT-227 B E153432 G E G E E IXEN 60N120 C = Collector G = Gate E = Emitter * IXEN 60N120D1 E C * Either Emitter terminal can be used as Main or Kelvin Emitter Features t IGBT Conditions Maximum Ratings VCES TVJ = 25°C to 150°C u Symbol 1200 ± 20 V -o VGES V IC25 IC90 TC = 25°C TC = 90°C ICM VCEK VGE = ±15 V; RG = 22 Ω; TVJ = 125°C RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH tSC (SCSOA) VCE = 900 V; VGE = ±15 V; RG = 22 Ω; TVJ = 125°C non-repetitive Ptot TC = 25°C Symbol Conditions s IC = 2 mA; VGE = VCE ICES VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C TVJ = 125°C Cies QGon A 10 µs W a h VGE(th) p IC = 60 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C TVJ = 125°C td(on) tr td(off) tf Eon Eoff 100 VCES Characteristic Values (TVJ = 25°C, unless otherwise specified) min. typ. max. VCE(sat) IGES A A 445 e 100 65 2.1 2.5 V V 6.5 V 0.8 mA mA 200 4.5 2.7 • optional HiPerFREDTM diode - fast reverse recovery - low operating forward voltage - low leakage current • miniBLOC package - isolated copper base plate - screw terminals - kelvin emitter terminal for easy drive - industry standard outline Applications • single switches • choppers with complementary free wheeling diode • phaselegs, H bridges, three phase bridges e.g. for - power supplies, UPS - AC, DC and SR drives - induction heating nA 0.8 VCE = 0 V; VGE = ± 20 V • NPT3 IGBT - low saturation voltage - positive temperature coefficient for easy paralleling - fast switching - short tail current for optimized performance in resonant circuits Inductive load, TVJ = 125°C VCE = 600 V; IC = 60 A VGE = ±15 V; RG = 22 Ω 80 50 680 30 7.2 4.8 ns ns ns ns mJ mJ VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 50 A 3.8 350 nF nC 0.28 K/W 331 RthJC © 2003 IXYS All rights reserved IXYS Semiconductor GmbH Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627 1-4 IXYS Corporation 3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054 Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670

ブランド

IXYS

会社名

IXYS Corporation

本社国名

U.S.A

事業概要

IXYS社は1983年にアメリカシリコンバレーに設立されたパワー半導体メーカーであり、革新的な技術でIGBTを世に送り出しました、 1989年にはパワー半導体製造では1921年来の歴史を持つABB(アセア・ブラウンボベリ)のドイツ・ランパートハイム・パワー半導体本部を傘下に迎え、最先端技術によるスイッチングパワー素子の開発、製造に加え、ドイツABB社により長年築き上げられたバイポーラ製品、およびモジュール技術と融合し、最先端技術を有する世界規模のパワー半導体メーカーとして、優れた製品をご提供しております。 近年RFパワー半導体のDirect Energy Inc. (DEI)、英国の大容量パワー半導体メーカーWestcode社、加えてフォトMosリレー、SSRの米国老舗Clare社、ミックスドシグナルIC、電子ペーパー用ドライバASIC等のMicronix社、GaAsFETのMicrowave Technology社(MWT)を傘下に招き、大容量パワー半導体からIC製品までの幅広い優れた製品をご提供しております。

供給状況

 
Not pic File
お求め商品IXEN60N120D1は、clevertechの担当が市場調査を行いemailにて御回答致します。

「見積依頼」をクリックして どうぞお進み下さい。

ご注文方法

弊社からの見積回答メールの返信又はFAXにてお願いします。


お取引内容はこちら

0.0642719269