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部品型式

RF101L2STE25

製品説明
仕様・特性

Data Sheet Fast Recovery Diode RF101L2S Applications General rectification Land size figure (Unit : mm) Dimensions (Unit : mm) 2.0 ② 0.1±0.02 　　　 0.1 4.2 PMDS 2.0±0.2 1.5±0.2 Construction Silicon epitaxial 5.0±0.3 ① 1.2±0.3 6 4.5±0.2 6 3)Ultra high switching speed 4)Low switching loss 2.0 2.6±0.2 Features 1)Small power mold type. (PMDS) 2)Ultra low VF Structure ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106 ① ② Manufacture date Taping dimensions (Unit : mm) 2.0±0.05 0.3 φ1.55±0.05 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1 　 0.05 9.5±0.1 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Reverse voltage (repetitive) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current (*1) Limits Forward current surge peak (60Hz ・1cyc) Io IFSM Junction temperature Storage temperature Tj Tstg Unit 200 200 1 20 150 55 to 150 VRM VR V V A A °C °C (*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions Forward voltage Reverse current VF - 0.815 0.87 V IF=1.0A IR - 0.01 10 μA Reverse recovery time trr - 12 25 ns VR=200V IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25*IR www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/3 2011.05 - Rev.B

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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