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部品型式

NE677M04

製品説明
仕様・特性

NEC's MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY NE677M04 TRANSISTOR FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 15 GHz HIGH OUTPUT POWER: P-1dB = 15 dBm at 1.8 GHz +0.40-0.05 NEC's NE677M04 is housed in NEC's new low profile/flat lead style "M04" package 2 1 1.25 0.650.65 +0.01 +0.30-0.05 (leads 1, 3 and ,4) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C) +0.1 0.59±0.05 2.0±0.1 NEC's NE677M04 is fabricated using NEC's HFT3 wafer process. With a transition frequency of 15 GHz, the NE677M04 is usable in applications from 100 MHz to 3 GHz. The NE677M04 provides P1dB of 15 dBm, even with low voltage and low current, making this device an excellent choice for the driver stage for mobile or fixed wireless applications. R54 DESCRIPTION PIN CONNECTIONS 1. Emitter 2. Collector 3. Emitter 4. Base PART NUMBER PACKAGE OUTLINE EIAJ3 REGISTRATION NUMBER SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS +0.11-0.05 NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE: SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance 3 • 2.05±0.1 1.25±0.1 1.30 HIGH LINEAR GAIN: GL = 15.5 dB at 1.8 GHz 0.650.65 • 4 • +0.30 • NE677M04 M04 2SC5751 UNITS MIN TYP MAX DC ICBO Collector Cutoff Current at VCB = 5V, IE = 0 nA 100 IEBO Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0 nA 100 Current1 hFE DC P1dB Output Power at 1 dB compression point at VCE = 2.8 V, ICQ = 8 mA, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm RF GL Gain at VCE = 3 V, IC = 20 mA Linear Gain at VCE = 2.8 V, ICQ = 8 mA, f = 1.8 GHz, Pin = -10 dBm Maximum Available Gain4 at VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz MAG |S21E|2 75 120 dBm dB 150 15.0 15.5 dBm 16.0 Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz dB ηc Collector Efficiency at VCE = 2.8 V, ICQ = 8 mA, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm % 50 NF Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz, Zs =ZOPT dB 1.7 fT Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz Reverse Transfer Capacitance2 at VCB = 3 V, IC = 0, f = 1 MHz Cre 10.0 13.5 GHz 15 pF 0.22 2.5 0.50 Notes: 1. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %. 2. Collector to Base capacitance measured by capacitance meter(automatic balance bridge method) when emitter pin is connected to the guard pin of capacitance meter. 3. Electronic Industrail Association of Japan |S21| 4. MAG = |S12| (K ± K 2- 1 ). California Eastern Laboratories

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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