製品説明 仕様・特性: IPB025N08N3G MOSFET OptiMOSª3Power-Transistor,80V D²PAK Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS 80 V RDS(on),max 2.5 mΩ ID 120 Drain Pin 2, Tab A Gate Pin 1 Source Pin 3 Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks IPB025N08N3 G PG-TO 263 025N08N - 1) J-STD20 and JESD22 Final Data Sheet 1 2016-03-31

事業概要: インフィニオン・テクノロジーは半導体ソリューション、マイクロコントローラー、LEDドライバ、センサー、自動車産業およびパワーマネージメントICに数多くの製品・サービスを提供しています。

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