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DTC124EU
DTC124EU Transistors Pre-Biased "Digital" Transistor No. of Units Per Package1 V(BR)CEO (V)50 V(BR)CBO (V)50 I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)200m I(CBO) Max. (A)500n @V(CBO) (V) (Test Condition)50 h(FE) Min. Current gain.56 h(FE) Max. Current gain.5.0m @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq250M @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)10 V(CE)sat Max. (V).30 @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @I(B) (A) (Test Condition)250u RB (Ohms) Base input resistor.22k RBE (Ohms) Base-Emit. resistor22k Collector-Emitter Diode? Y/NNo Semiconductor MaterialSilicon
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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