Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 300 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCES
600
V
Tc= 65°C
IC,nom.
300
A
Tc= 25°C
IC
375
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 65°C
ICRM
600
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Ptot
1250
W
VGES
+/- 20V
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I2t
19.200
A2s
VISOL
2,5
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
2
I t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
1,95
2,45
V
-
2,20
-
V
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 6mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
-
13
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
-
1,1
-
nF
-
2
1000
µA
-
2
-
mA
-
-
400
nA
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
prepared by: Andreas Vetter
date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp
ICES
revision: 1
1 (8)
IGES
BSM 300 GB 60 DLC S1
2000-02-08