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部品型式

M63832GP

製品説明
仕様・特性

POWEREX MITSUBISHI SEMICONDUCTOR ARY M63832GP/KP MIN RELI . ation nge. pecific ct to cha bje final s not a its are su is is ic lim e: Th tr Notice parame Som P 7-UNIT 500mA DARLINGTON TRANSISTOR-ARRAY DESCRIPTION The M63832GP/KP 7-channel sinkdriver, consists of 7 PNP and 14 NPN transistors connected to from seven high current gain driver pairs. PIN CONFIGURATION IN1 O1 15 O2 3 14 O3 IN4 4 13 O4 IN5 5 12 O5 IN6 6 11 O6 IN7 7 10 O7 GND INPUT 16 2 IN3 FEATURES G High breakdown voltage (BV CEO ≥ 50V) G High-current driving (IC(max) = 500mA) G 3V micro computer compatible input G “L” active level input G With input diode G Wide operating temperature range (Ta = –40 to +85°C) 1 IN2 8 9 VCC OUTPUT 16P2S-A(GP) Package type 16P2Z-A(KP) APPLICATION Output for 3 voltage microcomputer series and interface with high voltage system. Relay and small printer driver, LED, or incandescent display digit driver. CIRCUIT DIAGRAM VCC FUNCTION The M63832GP/KP is transistor-array of high active level seven units type which can do direct drive of 3 voltage microcomputer series. A resistor of 3.5kΩ is connected between the input and the base of PNP transistors. The input diode is intended to prevent the flow of current from the input to the Vcc. Without this diode, the current flows from “H” input to the Vcc and the “L” input circuit is activated, in such a case where one of the inputs of the 7 circuit is “H” and the other are “L” to save power consumption. The diode is inserted to prevent such mis-operation. The outputs are capable of driving 500mA and are rated for operation with output voltage up to 50V. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter 20K INPUT OUTPUT 3.5K 1.05K 7.2K 3K GND The seven circuits share the Vcc and GND The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot be used. Unit : Ω (Unless otherwise noted, Ta = –40 ~ +85°C) Symbol VCC Supply voltage Conditions VCEO IC VI Collector-emitter voltage Collector current Input voltage Output, H Current per circuit output, L Pd Topr Tstg Power dissipation Operating temperature Storage temperature Ta = 25°C, when mounted on board Ratings 7 –0.5 ~ +50 500 –0.5 ~ VCC 0.80(FP)/0.78(KP) –40 ~ +85 –55 ~ +125 Unit V V mA V W °C °C Sep. 2001

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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0.0663328171