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部品型式

MRF158

製品説明
仕様・特性

Order this document by MRF158/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF TMOS Line Power Field Effect Transistor MRF158 N–Channel Enhancement Mode Designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications to 500 MHz. • Guaranteed 28 Volt, 500 MHz Performance Output Power = 2.0 Watts Minimum Gain = 16 dB (Min) Efficiency = 55% (Typ) To 500 MHz, 2 W, 28 V TMOS BROADBAND RF POWER FET • Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques • 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR • Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation D G CASE 305A–01, STYLE 2 S MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Drain–Source Voltage Rating VDSS 65 Vdc Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc VGS ±20 Vdc Drain Current — Continuous ID 0.5 Adc Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C PD 8.0 45 Watts mW/°C Storage Temperature Range Tstg – 65 to +150 °C TJ 200 °C Symbol Max Unit RθJC 13.2 °C/W Gate–Source Voltage Operating Junction Temperature THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 9 1

ブランド

MCM

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MRF148AF MRF148AMP MRF14-8J-CH MRF14-8K25-FT MRF148MP
MRF14-8P-CH MRF14-9K31-FT MRF14-CONF MRF14-CONM1 MRF14-CONM-14M
MRF14-CONM2 MRF14-J-088NM-1 MRF14-JP-088SO-MD MRF14-P-088NM-1 MRF14-P-088RE-MD
MRF150 MRF1500 MRF-15000 MRF15002A MRF15030
MRF15038 MRF1503Q MRF15060 MRF15060RS MRF15060S
MRF15060SRS MRF1507 MRF1508 MRF15090 MRF150904
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MRF1513NT1 MRF1513NT106 MRF1513T1 MRF1517N MRF1517NT1
MRF1517NT1TR MRF1517T1 MRF1518N MRF1518NT1 MRF1518T1
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