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部品型式

2SD2083

製品説明
仕様・特性

2SD2083 Darlington Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1383) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Ratings VCBO 120 V VCEO 120 Symbol (2kΩ) (100Ω) E Unit 10max µA V IEBO VEB=6V 10max mA 6 V V(BR)CEO 25(Pulse40) A hFE V 4.0 120min 2000min 19.9±0.3 IC=25mA VCE=4V, IC=12A 15.6±0.4 9.6 1.8 VCB=120V a 2 A VCE(sat) IC=12A, IB=24mA 1.8max 120(Tc=25°C) W VBE(sat) IC=12A, IB=24mA 2.5max V Tj 150 °C fT VCE=12V, IE=–1A 20typ MHz –55 to +150 °C COB VCB=10V, f=1MHz 340typ ø3.2±0.1 pF V 4.0max 20.0min 5.45±0.1 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (µs) tstg (µs) 2 12 10 –5 24 –24 1.0typ 6.0typ C Weight : Approx 6.0g a. Part No. b. Lot No. 1.0typ V CE ( sat ) – I B Characteristics (Typical) Collector-Emitter Saturation Voltage V C E (sa t) (V ) 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 6 1 5 Collector-Emitter Voltage V C E (V) 10 50 100 h FE – I C Temperature Characteristics (Typical) (V C E =4V) 20000 10000 DC Curr ent Gain h F E Typ 5000 1000 500 1 5 10 125 ˚C 5000 25 Transient Thermal Resistance 20000 0.5 ˚C ˚C –30 1000 500 100 0.02 40 0.5 1 10 5 f T – I E Characteristics (Typical) p) ) mp) e Te Cas 2 2.2 40 θ j-a – t Characteristics 3 1 0.5 0.1 1 10 Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) emp eT 1 Base-Emittor Voltage V B E (V) (V C E =4V) 100 0.2 0 Base Current I B (mA) h FE – I C Characteristics (Typical) 10000 em 0 500 ˚C ( 10 10 –30 I B =1.5m A 12A 6A 1 se T 3m A 20 I C =25A 2 (Ca 5mA 20 as 8mA (C 30 (V C E =4V) 25 25˚C 12mA 3 5˚C A 12 20m Collector Current I C (A) A I C – V BE Temperature Characteristics (Typical) θ j - a (˚C/W) m 30 1.4 E tf (µs) 24 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B VCC (V) Collector Current I C (A) 2 3 1.05 +0.2 -0.1 sTypical Switching Characteristics (Common Emitter) 40 2.0±0.1 b PC I C – V CE Characteristics (Typical) 4.8±0.2 5.0±0.2 ICBO 2.0 Ratings IB 100 1000 Time t(ms) Safe Operating Area (Single Pulse) P c – T a Derating (V C E =12V) 120 100 100 1m s –10 0.2 3 5 10 50 100 Collector-Emitter Voltage V C E (V) 200 nk Emitter Current I E (A) –5 si –1 at –0.5 he 0 –0.1 ite 0.5 fin Without Heatsink Natural Cooling 1 In 5 ith m Collector Cur rent I C (A) s 10 50 DC 10 100 W Ma xim um Powe r Dissipat io n P C (W) 50 Typ Cut -off Fre quency f T (M H Z ) DC Curr ent Gain h F E B External Dimensions MT-100(TO3P) (Ta=25°C) Conditions VEBO Tstg C Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose sElectrical Characteristics Unit Symbol IC Equivalent circuit 50 3.5 0 Without Heatsink 0 25 50 75 100 125 150 Ambient Temperature Ta(˚C) 147

ブランド

SANKEN

会社名

サンケン電気株式会社

本社国名

日本

事業概要

自動車電装品向けICや今後大きな成長が期待されるモータコントロールIC、そして、産業機器や家電のみならず、様々な市場で求められる電力制御IC、パワーディスクリートなど、高付加価値を追求した先進的な製品を世界各地の顧客に供給するメーカー。

供給状況

 
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