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部品型式

S4VB60

製品説明
仕様・特性

SQ I P 型 Bridge Diode Square In-line Package ■外観図 OUTLINE S4VB60 Unit : mm Weight : 5.2g typ.) ( Package:S4VB 600V 4A ② ① 特長 • 耐湿性に優れ高信頼性 • 高耐熱性 • 低 IR ④ 25 7.5 Feature + S4VB • High-Reliability • Heat Resistance • Low IR ③ 60 品名 Type No. ロッ ト記号 (例) Date code 6N − ② ∼ + ① ④− ∼ ③ 17 17 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection” . ■定格表 RATINGS ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(指定のない場合 Tl =25℃/unless otherwise specified) 項目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 締め付けトルク Mounting Torque 品名 Type No. 記号 条件 Symbol Conditions S4VB60 単位 Unit Tstg −40∼150 ℃ Tj 150 ℃ 600 V VRM IO IFSM It 2 TOR 50Hz 正弦波,抵抗負荷, Ta = 40℃ 50Hz sine wave, Resistance load, Ta = 40℃ フィン付き With heatsink 4 θfa =10℃/W フィンなし Without heatsink 50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃, 1素子当たりの規格値 per diode (推奨値:0.5 N・m) (Recommended torque : 0.5 N・m) A 2.6 80 A 32 A2s 0.8 N・m ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合 Tl =25℃/unless otherwise specified) 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 熱抵抗 Thermal Resistance 32 (J534-1) VF IF = 2A, パルス測定,1素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode MAX 1.05 IR VR = VRM, パルス測定,1素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode MAX 10 μA 接合部・リード間 Junction to Lead MAX 4.5 ℃/W θjl V

ブランド

SHINDENGEN

会社名

新電元工業株式会社

本社国名

日本

事業概要

主に電源装置、電装装置、半導体製品、ソレノイド製品などを製造販売している。

供給状況

 
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