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部品型式

RB050L-60

製品説明
仕様・特性

Data Sheet Schottky barrier diode RB050L-60 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 2.0 4.2 0.1±0.02     0.1 ② 5.0±0.3 ① 1.2±0.3 3 4.5±0.2 4 Features 1)Small power mold type. (PMDS) 2)Low IR 2.0 2.6±0.2 PMDS 3)High reliability 2.0±0.2 1.5±0.2 Structure ROHM : PMDS JEDEC : SOD-106   Manufacture Date Construction Silicon epitaxial planar Taping specifications (Unit : mm) 2.0±0.05 0.3 φ1.55±0.05 12±0.2 5.5±0.05 5.3±0.1   0.05 9.5±0.1 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.55 2.9±0.1 4.0±0.1 2.8MAX Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Limits Symbol VRM Reverse voltage (repetitive) 60 VR Reverse voltage (DC) 60 Average rectified forward current (*1) 3 Io Average rectified forward current (*2) 2 Io IFSM Forward current surge peak (60Hz・1cyc) 70 Junction temperature 150 Tj Storage temperature 40 to 150 Tstg (*1) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180° Tc=69°C MAX (*2) On the Glass epoxy substrate, half sine wave at 180° Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol VF 1 Forward voltage VF2 Reverse current www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. IR Unit V V A A A °C °C Min. Typ. Max. Unit - - 0.52 V - - 0.56 V - - 100 A 1/3 Conditions IF=2.0A IF=3.0A VR=60V 2011.04 - Rev.A

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

 
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