SQ I P 型
Bridge Diode
Square In-line Package
■外観図 OUTLINE
S10VB60
Unit : mm
Weight : 8g typ.）
（
Package：S10VB
22
①
③
ロッ
ト記号
（例）
Date code
+
特長
22
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高耐熱性
• 低 IR
②
④
①
＋
③
∼
∼
②
Feature
品名
Type No.
S10VB60 17
600V 10A
−
④
25
• High-Reliability
• Heat Resistance
• Low IR
7.5
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
S10VB60
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
600
V
VRM
IO
IFSM
It
2
Vdis
TOR
フィン付き
θfa = 2.4℃/W
50Hz 正弦波，抵抗負荷， Ta = 40℃ With heatsink
50Hz sine wave,
フィンなし
Resistance load, Ta = 40℃
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃， １素子当たりの規格値
per diode
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended torque : 0.5 N・m）
10
A
3.7
200
A
110
A2s
2
kV
0.8
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl =25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
36
（J534-1）
VF
IR
θjl
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
IF = 5A,
MAX
1.05
MAX
10
μA
MAX
2.8
℃/W
V
