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部品型式

FDS4675

製品説明
仕様・特性

FDS4675 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET General Description Features This P -Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V). • –11 A, –40 V Applications • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) RDS(ON) = 0.013 Ω @ V GS = –10 V RDS(ON) = 0.017 Ω @ V GS = –4.5 V • Fast switching speed • Power management • High power and current handling capability • Load switch • Battery protection DD D D Pin 1 SO-8 Absolute Maximum Ratings Symbol 3 2 8 G S G S S S S S 4 6 SO-8 5 7 D D DD 1 TA=25oC unless otherwise noted Drain-Source Voltage Ratings –40 Units V DSS Parameter V GSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Drain Current (Note 1a) –11 –50 A PD Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 2.4 (steady state) W (Note 1b) 1.4 – Continuous – Pulsed (Note 1c) TJ , TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range V 1.2 -55 to +175 °C Thermal Characteristics RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 62.5 (steady state), 50 (10 sec) °C/W RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1c) 125 °C/W RθJ C Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 25 °C/W Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity FDS4675 FDS4675 13’’ 12mm 2500 units ©2001 Fairchild Semiconductor Corporation FDS4675 Rev C(W) FDS4675 February 2001

ブランド

FAIRCHILD

会社名

Fairchild Semiconductor International, Inc

本社国名

U.S.A

事業概要

アメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。

供給状況

 
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