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2SC827
2SC827 Transistors Si NPN Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)60 V(BR)CBO (V)100 I(C) Max. (A)500m Absolute Max. Power Diss. (W)700m Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)1.0uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.100 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)50m @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq20.M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F)10p @V(CB) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition)
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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