製品説明 仕様・特性: 2SD1309 Transistors NPN Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)100 V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A)8.0 Absolute Max. Power Diss. (W)40 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.2.0k h(FE) Max. Current gain.15k @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

現況: NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

事業概要: 2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

データシート

型式	数量	D/C・lead	備考	選択
2SD1309K	270個	N/A	N/A

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