Schottky Barrier Diode
Single
■外観図 OUTLINE
Package：2F
D3FS4A
Unit : mm
カ ドマーク
ソー
Cathode mark
40V 2.6A
3FS
4A
00
特 長
小型SMD
高速スイッチング
低VF
AEC-Q101準拠
品名略号
Type No.
Feature
4.0
7.0
①
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
7.5
2.8
Small SMD
High Recovery Speed
Low VF
Based on AEC-Q101
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。
捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
For details of the outline dimensions, refer to our web site. As for the
marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合はTl=25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operating Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
繰り返しせん頭サージ逆電圧
Repetitive Peak Surge Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
繰り返しせん頭サージ逆電力
Repetitive Peak Surge Reverse Power
記号
条 件
規格値
単位
Tstg
−55∼150
℃
Tj
150
℃
40
V
45
V
Symbol
Conditions
Ratings
VRM
VRRSM
パルス幅0.5ms, duty 1/40
Pulse width 0.5ms, duty 1/40
Io
50Hz 正弦波, 抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
I FSM
PRRSM
ミ
ナ基板実装
Ta＝34℃ アルalumina substrate
On
2.6
リ ト基板実装
Ta＝30℃ プ ン
On glass-epoxy substrate
1.9
Unit
A
50Hz 正弦波, 非繰り返し1サイ ルせん頭値, Tj＝125℃
ク
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj＝125℃
150
A
パルス幅10μs, Tj＝25℃
Pulse width 10μs, Tj＝25℃
330
W
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合はTl=25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
（J532-p
〈2016．
06〉
I2）
パルス測定
Pulse measurement
Max.
0.45
IR
VR＝40V
パルス測定
Pulse measurement
Max.
5
mA
Cj
f＝1MHz, VR＝10V
Typ.
340
pF
θjl
逆電流
Reverse Current
IF＝2.6A
接合部・ ー
リ ド間
Junction to lead
VF
θja
接合部・周囲間
Junction to ambient
Max.
23
アル ナ基板実装
ミ
On alumina substrate
Max.
80
プ ン
リ ト基板実装
On glass-epoxy substrate
Max.
115
V
www.shindengen.co.jp/product/semi/
℃/W
