SQ I P 型
Bridge Diode
Square In-line Package
■外観図 OUTLINE
S50VB□
800V 50A
24
36
11.5
特長
品名
Type No.
ロッ
ト記号
（例）
Date code
Feature
＋
S50VB60 13
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高耐熱性
• 低 IR
• ファストン端子
•
•
•
•
Unit : mm
Weight : 28g typ.）
（
Package：S50VB
36
①
−
① ＋
③
∼
③
②
∼
②
④
− ④
注1. Io＝30Aを越えてご使用の場合は、ファストン端子の下側の穴を
はんだで埋めてください。
尚、外部接続はリード線とし、はんだ付けにて接続してください。
High-Reliability
Heat Resistance
Low IR
Faston terminal
In case of over 30A of Io. bigger fasten hole should be filled by solder.
Lead-Wire with solder connection also requested for over 30A of Io
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tc=25℃／unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
）
品 名
Type No. S50VB60 S50VB80
記号
条 件
Symbol Conditions
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
IO
IFSM
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
Vdis
締め付けトルク
Mounting Torque
TOR
It
2
600
800
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
50*
A
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1ms≦t＜10ms, Tj=25℃, １素子当たりの規格値
per diode
500
A
800
A2s
2
kV
0.8
N・m
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.6 N・m）
（Recommended torque : 0.6 N・m）
（J534-1）
）
VF
IF = 25A,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
1.05
IR
VR = VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
10
μA
接合部・ケース間
Junction to Case
MAX
0.5
℃/W
θjc
* Io=30Aを越えてのご使用は、ファストン端子の2.4φ穴をはんだで埋め、リード線をはんだ付接続にてご使用ください。
* 本製品は、放熱板を取付けてご使用ください。
42
V
50Hz 正弦波，抵抗負荷，フィン付き，Tc = 95℃
50Hz sine wave, Resistance load, With heatsink, Tc = 95℃
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tc=25℃／unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
単位
Unit
V
