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NDS9407
NDS9407 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V). • –3.0 A, –60 V. Applications • Fast switching speed • Power management • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = –4.5 V • Low gate charge • Load switch • Battery protection • High power and current handling capability DD D D 5 6 G S G S S S S S SO-8 Pin 1 SO-8 Absolute Maximum Ratings Symbol Drain Current (Note 1a) – Pulsed V ±20 – Continuous Units –60 Gate-Source Voltage ID 1 Ratings Drain-Source Voltage VGSS 2 TA=25oC unless otherwise noted Parameter VDSS 3 8 D D 4 7 D D V –3.0 A –12 Maximum Power Dissipation (Note 1a) 2.5 (Note 1b) 1.2 (Note 1c) PD 1.0 W –55 to +175 °C (Note 1a) 50 °C/W (Note 1c) TJ, TSTG 125 (Note 1) 25 Operating and Storage Junction Temperature Range Thermal Characteristics RθJA RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Thermal Resistance, Junction-to-Case Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity NDS9407 NDS9407 13’’ 12mm 2500 units 2002 Fairchild Semiconductor Corporation NDS9407 Rev B1(W) NDS9407 May 2002
FAIRCHILD
Fairchild Semiconductor International, Inc
U.S.A
アメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。
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