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部品型式

SI3434DV

製品説明
仕様・特性

Si3434DV Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) ID (A) 0.034 at VGS = 4.5 V 6.1 0.050 at VGS = 2.5 V 30 RDS(on) (Ω) 5.0 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 2.5 V Rating for 30 V N-Channel • Low RDS(on) for Footprint Area • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Li-lon Battery Protection TSOP-6 Top View 1 6 2 5 3 3 mm (1, 2, 5, 6) D 4 (3) G 2.85 mm (4) S Ordering Information: Si3434DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si3434DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol 5s Steady State Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ± 12 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 70 °C Continuous Source Current (Diode Conduction)a IS TA = 25 °C TA = 70 °C PD 6.1 4.6 3.6 30 1.7 1.14 1.3 0.73 A 1.0 2.0 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V 4.9 IDM Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ID Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t≤5s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 40 62.5 90 110 25 Unit 30 °C/W Notes: a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 71610 S09-0766-Rev. B, 04-May-09 www.vishay.com 1

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