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RB411VA-50PBF
AEC-Q101 Qualified Schottky Barrier Diode RB411VA-50FH Applications General rectification Land size figure (Unit : mm) Dimensions (Unit : mm) 1.1 0.17±0.1 0.05 1.9±0.1 2.5±0.2 Features 1) Small mold type. (TUMD2) 2) High reliability. 0.8 0.5 2.0 1.3±0.05 TUMD2 Construction Silicon epitaxial planar Structure 0.8±0.05 0.6±0.2 ROHM : TUMD2 0.1 dot (year week factory) + day Taping specifications (Unit : mm) 8.0±0.2 2.75 4.0±0.1 1.43±0.05 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz・1cyc) Junction temperature Storage temperature Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forawrd voltage Reverse current Capacitance between terminals www.rohm.com ©2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Limits 50 20 0.5 3 125 40 to 125 Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg φ1.0±0.2 0 2.8±0.05 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.1 0 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 0.9±0.08 Unit V V A A °C °C Conditions Symbol VF1 VF2 IR Min. Typ. Max. Unit - - 0.50 0.30 30 V V μA IF=500mA IF=10mA VR=10V Ct - 20 - pF VR=10V , f=1MHz 1/3 2012.03 - Rev.C
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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