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部品型式

D4104C-1

製品説明
仕様・特性

Silicon Zener Diode Series 1N4099 thru 1N4135, 1N4099-1 thru 1N4135-1 Features • 1N4099-1 thru 1N4135-1 Available in JAN, JANTX, JANTXV and JANS per MIL-PRF-19500/435 • Low Current Operation at 250 μA • Low Reverse Leakage and Low Noise Characteristics • Metallurgically Bonded • Also available in DO-213 MELF style package Maximum Ratings Junction Temperature: -65°C to +175°C Storage Temperature: -65°C to +175°C DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C Power Derating: 4 mW / °C above +50°C Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified) JEDEC TYPE NUMBER NOMINAL ZENER VOLTAGE ZENER TEST CURRENT MAXIMUM ZENER IMPEDANCE VZ @ IZT IZT ZZT@ IZT VOLTS 6.8 7.5 8.2 8.7 9.1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25 27 28 30 33 36 39 43 47 51 56 60 62 68 75 82 87 91 100 μA 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 OHMS 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 100 100 100 150 150 150 150 150 150 200 200 200 200 200 250 250 300 300 400 500 700 700 800 1000 1200 1500 MAXIMUM REVERSE CURRENT IR @ VR MAXIMUM NOISE DENSITY MAXIMUM ZENER CURRENT ND @ IZT IZM μ V/√Hz 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 mA 56 51 46 44 42 38 35 32 29 27 25 24 22 21 20 19 17 16 15 14 14 13 12 11 9.8 8.9 8.1 7.5 6.7 6.4 6.1 5.6 5.1 4.6 4.4 4.2 3.8 (NOTE 1) 1N4099 1N4100 1N4101 1N4102 1N4103 1N4104 1N4105 1N4106 1N4107 1N4108 1N4109 1N4110 1N4111 1N4112 1N4113 1N4114 1N4115 1N4116 1N4117 1N4118 1N4119 1N4120 1N4121 1N4122 1N4123 1N4124 1N4125 1N4126 1N4127 1N4128 1N4129 1N4130 1N4131 1N4132 1N4133 1N4134 1N4135 μA 10 10 1.0 1.0 1.0 1.0 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 VOLTS 5.17 5.70 6.24 6.61 6.92 7.60 8.44 9.12 9.87 10.65 11.40 12.15 12.92 13.67 14.44 15.20 16.72 18.25 19.00 20.46 21.28 22.80 25.08 27.38 29.65 32.65 35.75 38.76 42.60 45.60 47.10 51.68 57.00 62.32 66.12 69.16 76.00 NOTE 1: The JEDEC type numbers shown above have a Zener voltage tolerance of + 5% of the nominal Zener voltage. Vz is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature of 25°C + 3°C. A “C” suffix denotes a + 2% tolerance and a “D” suffix denotes a + 1% tolerance. Revision Date: 7/26/2012 New Product 1

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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