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IRF3000
PD- 94423 IRF3000 SMPS MOSFET HEXFET® Power MOSFET VDSS Applications High frequency DC-DC converters l Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 300V RDS(on) max ID 0.40W@VGS = 10V 1.6A A A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D 4 5 D S G SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ TSTG Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds Max. Units 1.6 1.3 13 2.5 0.02 ± 30 8.9 -55 to + 150 A W W/°C V V/ns °C 300 (1.6mm from case ) Thermal Resistance Symbol RθJL RθJA Parameter Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient Typ. Max. Units ––– ––– 20 50 °C/W Notes through are on page 8 www.irf.com 1 4/2/02
QUALCOMM
Qualcomm, Inc
U.S.A
アメリカの移動体通信の通信技術および半導体の設計開発を行う企業。 クアルコムは1985年、アーウィン・ジェーコブズとアンドリュー・ビタビによって設立された。社名のQualcommは、QualityとCommunicationsを合わせた造語である。本社はカリフォルニア州サンディエゴにある。CDMA方式携帯電話の実用化に成功して成長を遂げた。
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